5 transistors MOSFET de puissance à canal N IRFP460 500 V 20 A

Description de 5 transistors MOSFET de puissance à canal N IRFP460 500 V 20 A

Nom du produit : Transistor à canal N à grande puce IRFP460. Plus le canal est large, meilleure est la conductivité du composant. Les porteurs de charge pénètrent dans le canal par la source et en sortent par le drain. La largeur du canal est contrôlée par la tension appliquée à une électrode appelée grille, située physiquement entre la source et le drain et isolée du canal par une couche d'oxyde métallique extrêmement fine. Un MOSFET peut fonctionner de deux manières. La première est appelée mode d'appauvrissement. En l'absence de tension sur la grille, le canal présente sa conductance maximale. Lorsque la tension sur la grille augmente (positivement ou négativement, selon que le canal est constitué d'un matériau semi-conducteur de type P ou N), la conductivité du canal diminue. La seconde manière dont un MOSFET peut fonctionner est appelée mode d'enrichissement. En l'absence de tension sur la grille, il n'y a pas de canal et le composant ne conduit pas. Un canal est créé par l'application d'une tension sur la grille. Plus la tension de grille est élevée, meilleure est la conduction du composant.
Contenu de l'emballage : 5 transistors
Remarque : La couleur de l'article sur la photo peut légèrement différer de la réalité en raison de l'éclairage et des réglages de votre écran. Une marge d'erreur de +/- 1 à 3 cm est possible.