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4 Transistor de SilíCio - D 1047 + B 817, 200 V, 12 A

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Descrição e Detalhes

Resumo

Nome do produto: Transistor;
Número do modelo: 2SD1047 / D1047, 2SB817 / B817;
VCBO: 200 V
IC: 12 A;
Pd (perda total): 100 W;

Descrição de 4 Transistor de SilíCio - D 1047 + B 817, 200 V, 12 A

Nome do produto: Transistor;
Número do modelo: 2SD1047 / D1047, 2SB817 / B817;
VCBO: 200 V
IC: 12 A;
Pd (perda total): 100 W;

Pacote: TO-3P
Tipo de transistor: PNP NPN;
Tamanho do corpo (cada): 2 x 1, 5 x 0,5 cm / 0,78 x 0,6 x 0,2 (C x L x T)
Diâmetro do orifício: 3,1 mm / 0,12;
Comprimento do pino: 20 mm / 0,78
Peso líquido: 12 gramas; Material: metal + plástico

Conteúdo do pacote:
4 x transistor de silício